VBsemi ZXMP6A17GTC-VB MOSFET是一款P溝道溝道MOSFET，具有-60V的漏極-源極電壓承受能力，能夠承受最大-6.5A的漏極電流。其導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）在10V的柵極-源極電壓下為58mΩ，柵極-源極電壓為20V時為58mΩ，臨界柵極-源極電壓（Vth）在-1V至-3V之間。該器件采用SOT223封裝。

產(chǎn)品簡介：
VBsemi ZXMP6A17GTC-VB MOSFET是一款高性能P溝道MOSFET，具有較低的導(dǎo)通電阻和較高的漏極-源極電壓承受能力。它適用于各種需要高效能、高電流承受能力和低導(dǎo)通電阻的應(yīng)用場合。

詳細參數(shù)說明：
- 電壓承受能力：-60V
- 漏極電流：-6.5A
- 導(dǎo)通電阻(RDS(ON))：58mΩ @ 10V, 20V
- 臨界柵極-源極電壓(Vth)：-1V至-3V

適用領(lǐng)域和模塊示例：
1. 電源管理模塊：ZXMP6A17GTC-VB MOSFET可以用于電源管理模塊中的功率開關(guān)，實現(xiàn)高效率的能量轉(zhuǎn)換。
2. 電池保護電路：在移動設(shè)備和便攜式電子設(shè)備中，可將其用于電池保護電路，提高電池的安全性和壽命。
3. 逆變器：可用于逆變器中，幫助實現(xiàn)直流到交流的轉(zhuǎn)換，適用于太陽能和風(fēng)能發(fā)電系統(tǒng)。
4. 電動汽車充電樁：在電動汽車充電樁中，可用于功率開關(guān)和電源管理，提高充電效率和安全性。
5. 工業(yè)控制系統(tǒng)：在工業(yè)控制系統(tǒng)中，可將該器件用于功率開關(guān)和電源管理，提高工業(yè)設(shè)備的效率和可靠性。