### 產品簡介：
VBsemi的04N03LA-VB是一款高性能的N溝道MOSFET，采用TO263封裝。該器件工作電壓（VDS）為30V，最大允許門源電壓（VGS）為20V（絕對值），閾值電壓（Vth）為1.7V。在VGS分別為4.5V和10V時，導通電阻（RDS(ON)）分別為2.7mΩ和2.4mΩ，最大漏極電流（ID）為98A。采用了Trench工藝，具有優異的性能和可靠性。
### 參數說明：
- **封裝類型**：TO263
- **通道類型**：單N溝道
- **工作電壓（VDS）**：30V
- **最大允許門源電壓（VGS）**：20V（絕對值）
- **閾值電壓（Vth）**：1.7V
- **導通電阻（RDS(ON)）**：2.7mΩ @ VGS=4.5V；2.4mΩ @ VGS=10V
- **最大漏極電流（ID）**：98A
- **技術**：Trench
### 應用領域和模塊示例：
1. **電源模塊**：04N03LA-VB適用于中功率電源模塊，如DC-DC轉換器和功率因數校正電路，其低導通電阻和高漏極電流能力使其能夠有效地處理中等功率應用。
2. **電動工具**：這種MOSFET也可用于電動工具，如電動鉆和電動螺絲刀，提供高效能量轉換和高性能。
3. **電池管理**：在便攜式設備和電池管理系統中，04N03LA-VB可用作電池充放電控制器，確保高效能量管理和充電控制。
4. **車載電子**：在汽車和其他車輛的電子系統中，這種MOSFET可以用于各種功率控制和管理應用，如照明控制和電機驅動。
5. **LED照明**：在低電壓LED照明系統中，這種MOSFET可以用作LED驅動器的開關，提供高效的電力控制和調節。
這些只是一些示例，實際應用取決于具體設計和系統要求。
