以下是您請求的信息：

**產品簡介：**

VBsemi的04N50C3-VB是一款TO252封裝的單N溝道場效應管。它具有650V的漏極-源極電壓（VDS），30V的門-源電壓（VGS，±V），3.5V的閾值電壓（Vth），以及在VGS=10V時為1000mΩ的導通電阻（RDS(ON)），并且能夠承受5A的漏極電流（ID）。該產品采用SJ_Multi-EPI技術制造。

**詳細參數說明：**

- 封裝：TO252
- 構型：單N溝道
- VDS（漏極-源極電壓）：650V
- VGS（門-源電壓）：30V（±V）
- Vth（閾值電壓）：3.5V
- RDS(ON)（導通電阻）：1000mΩ @ VGS=10V
- ID（漏極電流）：5A
- 技術：SJ_Multi-EPI

**適用領域和模塊示例：**

1. **電源開關**：由于其較高的漏極-源極電壓和低導通電阻，可用于開關電源的設計，例如開關模式電源和變換器。
2. **照明驅動**：在LED照明驅動電路中，可用作功率開關，控制LED的亮度和電流。
3. **電動汽車充電樁**：用于控制充電樁的功率開關和調節，確保安全高效的電動汽車充電。
4. **太陽能逆變器**：用于太陽能電池板系統中的逆變器，將直流電轉換為交流電。
5. **工業電子**：用于工業控制和電源管理，如電機驅動器、UPS系統等。

以上是對04N50C3-VB產品的簡介、參數說明和適用領域和模塊的說明。