### 產品簡介

04N60I-VB是一款單通道N溝道MOSFET，采用TO220F封裝，具有650V的漏極-源極電壓（VDS）、30V的柵極-源極電壓（VGS，±V）、3.5V的閾值電壓（Vth）、2560mΩ@VGS=10V的導通電阻（RDS(ON)）、以及4A的漏極電流（ID）。該產品采用Plannar技術，適用于中高壓應用。

### 參數說明

- **封裝：** TO220F
- **結構：** 單N溝道
- **漏極-源極電壓（VDS）：** 650V
- **柵極-源極電壓（VGS）：** 30V（±V）
- **閾值電壓（Vth）：** 3.5V
- **導通電阻（RDS(ON))：** 2560mΩ@VGS=10V
- **漏極電流（ID）：** 4A
- **技術：** Plannar

### 應用領域和模塊舉例

1. **電源管理：** 04N60I-VB適用于中高壓電源管理，如開關電源、DC-DC變換器和逆變器等。

2. **照明：** 在需要處理高電壓和電流的照明應用中，例如LED照明驅動器和照明控制系統，04N60I-VB可用于功率開關。

3. **電動工具：** 由于具有較高的漏極電壓和適度的漏極電流，該產品適用于電動工具的電源開關。

4. **工業控制系統：** 在工業領域中，需要承受中高壓和電流的控制系統，例如電機控制、電源管理和磁懸浮設備等，04N60I-VB可用于功率開關和電流控制。

5. **太陽能逆變器：** 在太陽能發電系統中，逆變器需要處理高壓和電流，同時保持高效率和可靠性，04N60I-VB可用于逆變器的功率開關電路。