### 產品簡介：
VBsemi的04N65-VB是一款TO220F封裝的單N溝道場效應晶體管（MOSFET）。該器件具有650V的漏極-源極電壓（VDS）、30V的柵極-源極電壓（VGS，正負值）、3.5V的閾值電壓（Vth）、2560mΩ@VGS=10V的導通電阻（RDS(ON)）、以及4A的漏極電流（ID）。采用了平面工藝（Plannar Technology），在高電壓下具有良好的性能和可靠性。
### 參數說明：
- 封裝：TO220F
- 類型：單N溝道
- VDS（漏極-源極電壓）：650V
- VGS（柵極-源極電壓）：±30V
- 閾值電壓（Vth）：3.5V
- RDS(ON)：2560mΩ@VGS=10V
- ID（漏極電流）：4A
- 工藝：平面工藝
### 適用領域和模塊：
- 電源開關模塊：由于其高電壓和低導通電阻特性，04N65-VB適用于電源開關模塊，如開關電源、UPS系統和逆變器。
- 照明驅動模塊：在需要高電壓驅動和穩定性能的LED照明系統中，該器件也是一個理想選擇。
- 工業電子：在工業控制和自動化領域，由于其耐高壓和高電流的特性，04N65-VB常被應用于高壓開關和控制模塊中。
- 電動汽車充電樁：在電動汽車充電樁中，由于其高電壓和低導通電阻的特性，04N65-VB可以提供可靠的功率開關控制。
