VBsemi的04N80C3-VB是一款TO220封裝的單N溝道MOSFET。它具有800V的漏極-源極電壓（VDS）、30V（±V）的門極-源極電壓（VGS）、3.5V的閾值電壓（Vth）、在VGS=10V時的1300mΩ的導通電阻（RDS(ON)）、以及5A的漏極電流（ID）。該產品采用SJ_Multi-EPI工藝。

**產品簡介：**
VBsemi的04N80C3-VB是一款高壓、高性能的單N溝道MOSFET。它具有較高的漏極-源極電壓和漏極電流能力，適用于要求高壓、大電流的應用場合。

**詳細參數說明：**
- 封裝：TO220
- 類型：單N溝道
- 漏極-源極電壓（VDS）：800V
- 門極-源極電壓（VGS）：30V（±V）
- 閾值電壓（Vth）：3.5V
- 導通電阻（RDS(ON)）：1300mΩ @ VGS=10V
- 漏極電流（ID）：5A
- 工藝：SJ_Multi-EPI

**應用領域和模塊示例：**
1. **電源模塊**：04N80C3-VB適用于高壓電源模塊，如電動車充電器、工業電源等，具有較高的漏極電壓容許值和較低的導通電阻。
2. **電動車**：在電動車的電動機驅動系統中，04N80C3-VB可用于控制器模塊，提供穩定的功率輸出。
3. **工業控制**：在工業控制領域，04N80C3-VB適用于高壓電機控制器、功率逆變器等，具有高可靠性和耐壓能力。
4. **照明系統**：在室外照明系統中，如街燈、廣告燈箱等，04N80C3-VB可用于功率開關，具有穩定的性能和長壽命。
5. **太陽能逆變器**：在太陽能逆變器中，04N80C3-VB可用于高壓、高效率的電能轉換，適用于戶外環境。

這些是04N80C3-VB的一些典型應用場景，但并不限于此，具體應用取決于設計要求和環境條件。