--- 產品參數 ---
- 封裝 TO251封裝
- 溝道 N-Channel
--- 數據手冊 ---
--- 產品詳情 ---
### 產品簡介:
VBsemi的05N10-VB是一款TO251封裝的單通道N溝道MOSFET,具有100V的漏極-源極電壓(VDS),20V的柵極-源極電壓(VGS,正負)和1.5V的閾值電壓(Vth)。該器件采用溝道工藝,具有在VGS=10V時RDS(ON)為200mΩ的低導通電阻。其最大漏極電流(ID)為12A。
### 參數說明:
- **器件類型**:單通道N溝道MOSFET
- **封裝**:TO251
- **VDS(漏極-源極電壓)**:100V
- **VGS(柵極-源極電壓)**:±20V
- **閾值電壓(Vth)**:1.5V
- **導通電阻(RDS(ON))**:200mΩ @ VGS=10V
- **最大漏極電流(ID)**:12A
- **工藝**:溝道
### 適用領域和模塊舉例:
1. **低壓開關電源模塊**:由于其適中的漏極電壓和較低的導通電阻,05N10-VB適用于低壓開關電源模塊,如各種類型的逆變器和開關電源,提供高效的電源控制。
2. **工業自動化模塊**:在工業自動化系統中,這款MOSFET可用于控制各種電機和裝置,提供高效的電能管理和控制,如工業電機控制和傳感器接口。
3. **電池管理模塊**:在需要較低電壓和電流控制的電池管理系統中,這款MOSFET可用于充放電控制,如便攜式電子設備和電動玩具。
4. **LED照明模塊**:在LED照明應用中,05N10-VB可用于開關電源,控制LED的亮度和電流,實現節能和可調光效果。
以上是對05N10-VB的產品簡介、詳細參數說明以及適用領域和模塊的舉例說明。
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