--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 封裝 TO252封
- 溝道 N-Channel
--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
以下是關(guān)于VBsemi的MOSFET產(chǎn)品0603GH-VB的詳細(xì)信息:
1. 產(chǎn)品簡(jiǎn)介:
- 型號(hào):0603GH-VB
- 封裝:TO252
- 構(gòu)造:?jiǎn)蜰溝道
- 額定漏極-源極電壓(VDS):30V
- 額定柵極-源極電壓(VGS):20V(±)
- 閾值電壓(Vth):1.7V
- 靜態(tài)漏極-源極電阻(RDS(ON)):在VGS=4.5V時(shí)為3mΩ,在VGS=10V時(shí)為2mΩ
- 連續(xù)漏極電流(ID):100A
- 工藝:溝槽
2. 參數(shù)說明:
- VDS:30V是該MOSFET的最大漏極-源極電壓,超過這個(gè)電壓可能導(dǎo)致器件損壞。
- VGS:20V(±)是該MOSFET的最大柵極-源極電壓范圍,超過這個(gè)范圍可能導(dǎo)致器件損壞。
- Vth:1.7V是該MOSFET的閾值電壓,即當(dāng)柵極電壓高于1.7V時(shí),MOSFET開始導(dǎo)通。
- RDS(ON):在VGS=4.5V時(shí)為3mΩ,在VGS=10V時(shí)為2mΩ,這表示在不同柵極電壓下,MOSFET的靜態(tài)漏極-源極電阻不同。
- ID:100A是該MOSFET的最大連續(xù)漏極電流,超過這個(gè)電流可能導(dǎo)致器件過熱損壞。
3. 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例:
- 電源模塊:由于0603GH-VB具有較低的漏極-源極電阻和較高的漏極電流能力,適用于高性能電源模塊,如服務(wù)器電源和通信設(shè)備電源。
- 汽車電子系統(tǒng):可用于汽車電子系統(tǒng)中的DC-DC轉(zhuǎn)換器和電池管理系統(tǒng),由于其高電流能力和低導(dǎo)通電阻,提供高效的電能轉(zhuǎn)換和管理。
- 工業(yè)控制模塊:由于其高電壓和電流能力,適用于工業(yè)控制系統(tǒng)中的開關(guān)控制器和逆變器,確保系統(tǒng)的穩(wěn)定性和高效運(yùn)行。
請(qǐng)注意,以上示例僅用于說明該MOSFET可能的應(yīng)用領(lǐng)域和模塊,實(shí)際應(yīng)用需根據(jù)具體設(shè)計(jì)要求進(jìn)行評(píng)估。
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