VBsemi的06CNE8N-VB是一款TO263封裝的單N溝道MOSFET。它具有80V的漏極-源極電壓（VDS）、20V（±V）的門極-源極電壓（VGS）、3V的閾值電壓（Vth）、在VGS=4.5V時的10mΩ的導通電阻（RDS(ON)）、在VGS=10V時的6mΩ的導通電阻（RDS(ON)）、以及120A的漏極電流（ID）。該產品采用Trench工藝。

**產品簡介：**
VBsemi的06CNE8N-VB是一款高性能的單N溝道MOSFET，適用于多種領域和模塊。它具有高漏極電壓、低導通電阻和可靠性強的特點，適用于要求高功率密度和高效率的應用場合。

**詳細參數說明：**
- 封裝：TO263
- 類型：單N溝道
- 漏極-源極電壓（VDS）：80V
- 門極-源極電壓（VGS）：20V（±V）
- 閾值電壓（Vth）：3V
- 導通電阻（RDS(ON)）：10mΩ @ VGS=4.5V, 6mΩ @ VGS=10V
- 漏極電流（ID）：120A
- 工藝：Trench

**應用領域和模塊示例：**
1. **電源模塊**：06CNE8N-VB適用于中高功率電源模塊，如電動工具、電動車充電器等，具有低導通電阻和高效率。
2. **電動車**：在電動車的電動機驅動系統中，06CNE8N-VB可用于控制器模塊，提供穩定的功率輸出。
3. **工業控制**：在工業控制領域，06CNE8N-VB適用于各種類型的電機控制器和功率逆變器，提供高效率和可靠性。
4. **電源管理**：在各類電源管理系統中，06CNE8N-VB可用作功率開關，具有高效率和穩定的性能。
5. **LED照明**：在LED照明系統中，06CNE8N-VB可用作LED驅動器，提供高效率的電能轉換和穩定的電流輸出。

這些是06CNE8N-VB的一些典型應用場景，但并不限于此，具體應用取決于設計要求和環境條件。