--- 產品參數 ---
- 封裝 TO263封裝
- 溝道 N-Channel
--- 數據手冊 ---
--- 產品詳情 ---
### 產品簡介:
VBsemi的06N03LA-VB是一款TO263封裝的單通道N溝道MOSFET,具有30V的漏極-源極電壓(VDS),20V的柵極-源極電壓(VGS,正負)和1.7V的閾值電壓(Vth)。該器件采用溝道工藝,具有在VGS=4.5V時RDS(ON)為2.7mΩ和在VGS=10V時RDS(ON)為2.4mΩ的低導通電阻。其最大漏極電流(ID)為98A。
### 參數說明:
- **器件類型**:單通道N溝道MOSFET
- **封裝**:TO263
- **VDS(漏極-源極電壓)**:30V
- **VGS(柵極-源極電壓)**:±20V
- **閾值電壓(Vth)**:1.7V
- **導通電阻(RDS(ON))**:2.7mΩ @ VGS=4.5V, 2.4mΩ @ VGS=10V
- **最大漏極電流(ID)**:98A
- **工藝**:溝道
### 適用領域和模塊舉例:
1. **電源管理模塊**:由于其適中的漏極電壓和低導通電阻,06N03LA-VB適用于電源管理模塊,如開關電源和直流-直流轉換器,提供高效的電源控制。
2. **電池管理模塊**:在需要較低電壓和電流控制的電池管理系統中,這款MOSFET可用于充放電控制,如便攜式電子設備和電動玩具。
3. **電機驅動模塊**:在需要中等功率電機驅動的應用中,06N03LA-VB可用于驅動各種電機,如工業設備和家用電器中的電機控制模塊。
4. **LED照明模塊**:在LED照明應用中,06N03LA-VB可用于開關電源,控制LED的亮度和電流,實現節能和可調光效果。
以上是對06N03LA-VB的產品簡介、詳細參數說明以及適用領域和模塊的舉例說明。
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