### 產品簡介：
VBsemi的070N08N-VB是一款TO262封裝的單N溝道場效應晶體管（MOSFET）。該器件具有80V的漏極-源極電壓（VDS）、20V的柵極-源極電壓（VGS，正負值）、3V的閾值電壓（Vth）、10mΩ@VGS=4.5V和6mΩ@VGS=10V的導通電阻（RDS(ON)）、以及85A的漏極電流（ID）。采用了溝槽工藝（Trench Technology），在高電壓下具有良好的性能和可靠性。
### 參數說明：
- 封裝：TO262
- 類型：單N溝道
- VDS（漏極-源極電壓）：80V
- VGS（柵極-源極電壓）：±20V
- 閾值電壓（Vth）：3V
- RDS(ON)：10mΩ@VGS=4.5V，6mΩ@VGS=10V
- ID（漏極電流）：85A
- 工藝：溝槽工藝
### 適用領域和模塊：
- 電源模塊：由于其低導通電阻和高漏極電流，070N08N-VB適用于電源模塊，如電源開關和開關穩壓器。這些模塊需要可靠的開關和控制來管理高功率負載。
- 電動工具：在需要高功率輸出的電動工具中，該器件可以提供可靠的功率開關控制，確保設備的高效率和可靠性。
- 工業控制：在工業控制系統中，由于其高漏極電壓和高漏極電流，070N08N-VB常被應用于高壓開關和控制模塊中，確保設備的穩定運行。
