### 07N65C3-VB 產品簡介

**型號**: 07N65C3-VB  
**封裝**: TO220F  
**配置**: 單一N溝道  
**技術**: Plannar

07N65C3-VB 是一款高壓N溝道MOSFET，具有650V的漏源電壓（VDS）和12A的連續漏極電流（ID）。該器件采用了Plannar工藝，具有優良的性能和可靠性。其門極閾值電壓（Vth）為3.5V，適合在各種高壓應用中使用。

### 07N65C3-VB 參數說明

- **漏源電壓 (VDS)**: 650V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±30V
- **門極閾值電壓 (Vth)**: 3.5V
- **導通電阻 (RDS(ON))**: 680mΩ @ VGS=10V
- **連續漏極電流 (ID)**: 12A
- **脈沖漏極電流 (IDM)**: 48A
- **功耗 (PD)**: 125W
- **工作溫度范圍 (Tj)**: -55°C ~ 150°C
- **封裝類型**: TO220F
- **技術**: Plannar

### 應用領域和模塊示例

**電源逆變器**
07N65C3-VB 可用作高壓逆變器中的開關元件，用于將直流電轉換為交流電，適用于太陽能逆變器和UPS系統。

**電動汽車充電樁**
在電動汽車充電樁中，該MOSFET可以用于開關電源，控制充電電流，確保充電過程高效穩定。

**工業電源**
對于需要高效率和高穩定性的工業電源系統，07N65C3-VB 可用于開關電源模塊，提供可靠的高壓開關功能。

**電機驅動**
在高性能電機驅動系統中，如伺服電機和步進電機驅動器中，該器件可用于控制電流，實現精確的運動控制。

**照明應用**
在需要高壓驅動的LED照明系統中，07N65C3-VB 可用于提供穩定的電流控制，提高照明效率。

通過以上示例，可以看出07N65C3-VB 在各種高壓應用中都具有廣泛的適用性，能夠提高系統性能和效率。