**080N03L-VB**

**產品簡介：**
VBsemi 080N03L-VB 是一款高性能的 TO263 封裝 N 溝道 MOSFET。其特點包括低導通電阻（RDS(ON)=2.7mΩ@VGS=4.5V，2.4mΩ@VGS=10V）、低門源電壓（VGS=20V）、高耐電流能力（ID=98A）等。該器件采用了 Trench 技術，適用于各種應用場合。

**詳細參數說明：**
- 封裝：TO263
- 極性：單 N 溝道
- 最大耐壓（VDS）：30V
- 最大門源電壓（VGS）：±20V
- 閾值電壓（Vth）：1.7V
- 導通電阻（RDS(ON)）：2.7mΩ@VGS=4.5V，2.4mΩ@VGS=10V
- 最大持續漏電流（ID）：98A
- 技術：Trench

**應用領域和模塊示例：**
1. **電源管理**：適用于高頻開關電源、直流-直流變換器、功率因數校正器等電源管理系統。
2. **電機驅動**：可用于電動工具、電動汽車、工業自動化設備中的電機驅動控制。
3. **電動車輛**：適用于電動自行車、電動摩托車等電動車輛的電動控制系統。
4. **服務器和數據中心**：用于服務器、網絡交換機、數據存儲設備等的功率管理和控制。
5. **消費類電子產品**：可用于平板電視、家用電器、音響設備等產品的功率開關控制。
6. **LED 照明**：適用于 LED 路燈、室內照明等場合，提供高效的功率控制和調節。