### 084P03NS3E-VB 產品簡介

**型號**: 084P03NS3E-VB  
**封裝**: DFN8(5X6)  
**配置**: 單一P溝道  
**技術**: Trench

084P03NS3E-VB 是一款高性能P溝道MOSFET，具有-30V的漏源電壓（VDS）和-120A的連續漏極電流（ID）。該器件采用了Trench工藝，具有低導通電阻和高性能特性。其門極閾值電壓（Vth）為-3V，適合用于負極性電源控制。

### 084P03NS3E-VB 參數說明

- **漏源電壓 (VDS)**: -30V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±20V
- **門極閾值電壓 (Vth)**: -3V
- **導通電阻 (RDS(ON))**: 
 - 6mΩ @ VGS=4.5V
 - 4mΩ @ VGS=10V
- **連續漏極電流 (ID)**: -120A
- **脈沖漏極電流 (IDM)**: -480A
- **功耗 (PD)**: 300W
- **工作溫度范圍 (Tj)**: -55°C ~ 175°C
- **封裝類型**: DFN8(5X6)
- **技術**: Trench

### 應用領域和模塊示例

**電源逆變器**
084P03NS3E-VB 可用于負極性電源逆變器中的開關元件，用于將直流電轉換為交流電，適用于太陽能逆變器和UPS系統。

**電動汽車充電樁**
在負極性電動汽車充電樁中，該MOSFET可以用于開關電源，控制充電電流，確保充電過程高效穩定。

**電池管理系統**
在需要負極性電池管理的場合，如電動汽車電池管理系統（BMS）中，084P03NS3E-VB 可用于控制電池的充放電過程，確保系統安全穩定。

**高頻開關電源**
在高頻開關電源中，該器件可以用作高性能開關元件，提供高效的電源開關功能，適用于電信和工業設備。

**醫療設備**
對于需要負極性電源控制的醫療設備，如X射線機和核磁共振儀，084P03NS3E-VB 可用于控制電源開關，確保設備穩定運行。

通過以上示例，可以看出084P03NS3E-VB 在負極性電源控制領域具有廣泛的適用性，能夠提供可靠的性能和穩定的工作。