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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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08N50C3-VB TO252一種N-Channel溝道TO252封裝MOS管

型號: 08N50C3-VB TO252
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 TO252封裝
  • 溝道 N-Channel

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 08N50C3-VB 產(chǎn)品簡介:

08N50C3-VB 是一款單路 N-溝道場效應(yīng)管,采用 TO252 封裝,主要特點包括:

- **VDS(漏極-源極電壓)**:650V,適用于高壓應(yīng)用。
- **VGS(柵極-源極電壓)**:±30V,具有較高的柵極工作電壓范圍。
- **Vth(閾值電壓)**:3.5V,適用于邏輯電平控制。
- **RDS(ON)(導(dǎo)通電阻)**:500mΩ@VGS=10V,低導(dǎo)通電阻,有助于降低功耗和熱量。
- **ID(漏極電流)**:9A,能夠承受較大電流負載。
- **Technology(技術(shù))**:SJ_Multi-EPI,采用多重外延工藝,具有較好的性能和可靠性。

### 08N50C3-VB 詳細參數(shù)說明:

- **封裝**:TO252
- **通道**:單路 N-溝道
- **VDS(漏極-源極電壓)**:650V
- **VGS(柵極-源極電壓)**:±30V
- **Vth(閾值電壓)**:3.5V
- **RDS(ON)(導(dǎo)通電阻)**:500mΩ@VGS=10V
- **ID(漏極電流)**:9A


- **Technology(技術(shù))**:SJ_Multi-EPI

### 08N50C3-VB 在各領(lǐng)域和模塊的應(yīng)用示例:

1. **電源管理模塊**:08N50C3-VB 的高 VDS 和低 RDS(ON) 特性使其非常適合用于開關(guān)電源和 DC-DC 變換器,能夠提高效率并降低損耗。

2. **工業(yè)自動化**:在工業(yè)控制系統(tǒng)中,08N50C3-VB 可以用作高壓開關(guān)器件,可靠性高,適合在惡劣的環(huán)境下工作。

3. **電動汽車充電樁**:其能承受較大電流負載的特性使其成為電動汽車充電樁中的理想選擇,可提供高效率和穩(wěn)定的充電性能。

4. **LED 照明**:08N50C3-VB 可以作為 LED 驅(qū)動器中的開關(guān)器件,幫助實現(xiàn) LED 燈具的高效率和長壽命。

以上是 08N50C3-VB 的一些應(yīng)用示例,它的特性使其在多個領(lǐng)域和模塊中都能發(fā)揮重要作用。

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