### 產品簡介
08N60GX-VB 是一款單路 N 溝道 MOSFET，具有650V 的漏極-源極電壓（VDS），30V 的門極-源極電壓（VGS，±V），3.5V 的門極閾值電壓（Vth），以及830mΩ 的導通電阻（RDS(ON)）在VGS=10V 時。該器件采用平面工藝（Plannar Technology）制造，能夠提供最大10A 的漏極電流（ID）。它采用 TO220F 封裝。

### 詳細參數說明
- **型號**: 08N60GX-VB
- **封裝**: TO220F
- **結構**: 單路 N 溝道
- **VDS (漏極-源極電壓)**: 650V
- **VGS (門極-源極電壓)**: 30V（±V）
- **Vth (門極閾值電壓)**: 3.5V
- **RDS(ON) (導通電阻)**: 830mΩ @ VGS=10V
- **ID (漏極電流)**: 10A
- **工藝**: 平面工藝（Plannar）

### 應用領域和模塊示例
1. **電源模塊**: 08N60GX-VB 可以用于電源模塊，例如用于開關電源的主開關。
2. **照明**: 在 LED 照明驅動電路中，該器件可以作為高壓開關來控制 LED 的通斷。
3. **電動汽車充電樁**: 08N60GX-VB 可以用于電動汽車充電樁中的開關電路，實現高效能的電力轉換。

以上僅為幾個示例，該產品還可以應用于其他需要高電壓、高電流開關的領域和模塊中。