0903GH-VB是一款TO252封裝的單N溝道MOSFET。它具有30V的漏極-源極電壓（VDS），20V的柵極-源極電壓（VGS，±V），和1.7V的閾值電壓（Vth）。在不同的柵極-源極電壓下，其導通電阻（RDS(ON)）分別為6mΩ（@VGS=4.5V）和5mΩ（@VGS=10V），最大漏極電流（ID）為80A。這款MOSFET采用槽溝技術制造。
以下是關于0903GH-VB的詳細參數說明：
- **封裝類型（Package）**：TO252
- **器件類型（Configuration）**：單N溝道
- **漏極-源極電壓（VDS）**：30V
- **柵極-源極電壓（VGS，±V）**：20V
- **閾值電壓（Vth）**：1.7V
- **導通電阻（RDS(ON)）**：6mΩ @ VGS=4.5V, 5mΩ @ VGS=10V
- **最大漏極電流（ID）**：80A
- **技術**：槽溝
關于該產品在哪些領域和模塊上的應用，以下是一些例子：
1. **電源模塊**：由于其低導通電阻和高漏極電流，0903GH-VB適用于高效率的開關電源模塊，例如筆記本電腦和平板電腦的電源適配器。
2. **電動工具**：在需要高電流和低電壓的電動工具中，這款MOSFET可用作電機驅動器的關鍵組件。
3. **電動汽車**：在電動汽車的電動驅動系統中，0903GH-VB可以用作逆變器的關鍵部件，實現電池供電轉換為電動機驅動。
4. **LED照明**：對于需要高效率和高亮度的LED照明系統，這款MOSFET可以用于LED驅動器中的開關器件。
這些只是一些例子，實際上，0903GH-VB可以適用于需要高電流、低導通電阻和高可靠性的各種應用場景。
