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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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090N03LS-VB QFN8(5X6)一種N-Channel溝道DFN8(5X6)封裝MOS管

型號: 090N03LS-VB QFN8(5X6)
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產品參數 ---

  • 封裝 DFN8(5X6)封裝
  • 溝道 N-Channel

--- 數據手冊 ---

--- 產品詳情 ---

090N03LS-VB 是一款 QFN8(5X6) 封裝的單通道 N 溝道 MOSFET。它具有以下主要參數:

- VDS(漏極-源極電壓):30V
- VGS(柵極-源極電壓):±20V
- Vth(閾值電壓):1.7V
- RDS(ON)(導通電阻):在 VGS=4.5V 時為9mΩ,在 VGS=10V 時為7mΩ
- ID(漏極電流):80A
- 技術:溝道技術

該型號的產品簡介詳細說明如下:

090N03LS-VB 是一款高性能的 N 溝道 MOSFET,適用于要求高效能和高可靠性的應用場合。其 QFN8(5X6) 封裝使其適用于空間受限的應用,同時具有良好的散熱性能。通過溝道技術,該器件具有低導通電阻和高漏極電流的特性,可提供高效的功率轉換和可靠的性能。

以下是該型號的詳細參數說明:

1. **VDS(漏極-源極電壓)**:30V,表示器件可以承受的最大漏極-源極電壓。
2. **VGS(柵極-源極電壓)**:±20V,表示柵極與源極之間的電壓范圍。
3. **Vth(閾值電壓)**:1.7V,表示柵極-源極之間的電壓,使器件開始導通。
4. **RDS(ON)(導通電阻)**:在 VGS=4.5V 時為9mΩ,在 VGS=10V 時為7mΩ,表示器件導通時的電阻大小,影響功率損耗。
5. **ID(漏極電流)**:80A,表示器件可以承受的最大漏極電流,直接影響器件的功率處理能力。
6. **技術**:溝道技術,采用了先進的溝道設計,使得器件具有更低的導通電阻和更高的效率。

該產品適用于以下領域和模塊:

- **電源管理模塊**:由于其高漏極電流和低導通電阻,適用于功率放大器、開關模塊等電源管理模塊。
- **電動車輛**:可用于電動車輛的電池管理系統、電機驅動系統等模塊,提供高效能的功率轉換。
- **工業控制**:適用于各種工業控制系統中的開關電路、電機驅動等模塊,提供可靠的功率控制。

請注意,以上只是一些常見的應用領域,具體應用取決于實際設計需求和環境。

 

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