097N04L-VB是一款DFN8(3X3)封裝的單路N溝道MOSFET，具有40V的漏極-源極電壓（VDS）、20V的柵極-源極電壓（VGS，±），以及2.5V的閾值電壓（Vth）。其在VGS=4.5V時的導通電阻RDS(ON)為6mΩ，在VGS=10V時為4.5mΩ，最大漏極電流ID為40A。采用槽溝技術（Trench）制造。

產品簡介：
097N04L-VB是一款高性能的單路N溝道MOSFET，具有低漏極-源極電壓和導通電阻，適用于要求高功率和高可靠性的應用場合。其DFN8(3X3)封裝設計使其適用于小尺寸應用，并具有良好的散熱性能，廣泛應用于各種領域和模塊中。

詳細參數說明：
- 封裝：DFN8(3X3)
- 結構：單路N溝道
- VDS（漏極-源極電壓）：40V
- VGS（柵極-源極電壓）：20V（±）
- 閾值電壓（Vth）：2.5V
- RDS(ON)（導通電阻）：6mΩ @ VGS=4.5V，4.5mΩ @ VGS=10V
- 最大漏極電流（ID）：40A
- 工藝技術：槽溝技術（Trench）

應用示例：
1. 電源模塊：用于電源管理模塊和DC-DC轉換器中的功率開關。
2. 電動工具：用于電動工具的電機驅動。
3. 汽車電子：用于汽車電子系統中的電源管理和電機控制。
4. 工業控制：用于工業自動化和機械設備控制中的功率開關。

這些示例表明，097N04L-VB適用于需要高電壓和高電流驅動的各種應用領域和模塊，特別適合于小尺寸和高功率密度要求的應用場合。