### 產品簡介
097N08N-VB 是一款單路 N 溝道 MOSFET，采用了槽溝工藝（Trench Technology）。它具有80V 的漏極-源極電壓（VDS），20V 的門極-源極電壓（VGS，±V），3V 的門極閾值電壓（Vth）。在 VGS=4.5V 時，其導通電阻（RDS(ON)）為10mΩ，在 VGS=10V 時為6mΩ。該器件能夠提供最大120A 的漏極電流（ID），并采用 TO263 封裝。

### 詳細參數說明
- **型號**: 097N08N-VB
- **封裝**: TO263
- **結構**: 單路 N 溝道
- **VDS (漏極-源極電壓)**: 80V
- **VGS (門極-源極電壓)**: 20V（±V）
- **Vth (門極閾值電壓)**: 3V
- **RDS(ON) (導通電阻)**: 
 - 10mΩ @ VGS=4.5V
 - 6mΩ @ VGS=10V
- **ID (漏極電流)**: 120A
- **工藝**: 槽溝工藝（Trench）

### 應用領域和模塊示例
1. **電動汽車**: 097N08N-VB 可以用于電動汽車的電源模塊，如電動汽車的驅動電路和充電樁中的高功率開關。
2. **工業自動化**: 在工業自動化領域，該器件可以用于高功率開關電源、電機控制器等模塊中。
3. **太陽能逆變器**: 在太陽能逆變器中，097N08N-VB 可以用作高效率的開關器件，幫助實現太陽能電能的轉換。

除了以上示例，該產品還適用于其他需要高電流、低導通電阻的領域和模塊中。