**產品簡介：**
108N15N-VB是一款TO263封裝的單路N溝道MOSFET。它具有150V的漏極-源極電壓（VDS），20V的柵極-源極電壓（VGS，正負值），3V的閾值電壓（Vth），在VGS=10V時的導通電阻為7.5mΩ（RDS(ON)），以及128A的漏極電流（ID）。該產品采用槽溝道（Trench）技術制造。
**詳細參數說明：**
- 封裝：TO263
- 極性：N溝道
- 漏極-源極電壓（VDS）：150V
- 柵極-源極電壓（VGS）：±20V
- 閾值電壓（Vth）：3V
- 導通電阻（RDS(ON)）：7.5mΩ @ VGS=10V
- 漏極電流（ID）：128A
- 技術：槽溝道（Trench）
**適用領域和模塊：**
- 電源管理：108N15N-VB適用于需要高電壓和大電流的電源管理，例如電源開關、電池管理系統等。
- 電機控制：由于其高漏極電流和低導通電阻，這款MOSFET可以用于電機驅動電路中，實現高效率的電機控制。
- 逆變器：對于需要高效率的逆變器，108N15N-VB可以用作逆變器的關鍵元件，實現高效率的能量轉換。
- 新能源汽車：在新能源汽車的驅動系統中，這款MOSFET可以用作電機控制器的開關元件，實現高效率的能量轉換。
以上只是一些例子，實際上，108N15N-VB還可以用于許多其他領域和模塊，具體取決于應用的要求和設計的需要。
