10A8-VB是一款SOT23-6封裝的單N溝道MOSFET。它具有100V的漏極-源極電壓（VDS），20V的柵極-源極電壓（VGS，±V），1.8V的閾值電壓（Vth），在VGS=4.5V時的導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）為105mΩ，在VGS=10V時的導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）為95mΩ，最大漏極電流（ID）為3.2A。該產(chǎn)品采用Trench技術(shù)。

詳細參數(shù)說明如下：
- 產(chǎn)品型號：10A8-VB
- 封裝：SOT23-6
- 極性：單N溝道
- 漏極-源極電壓（VDS）：100V
- 柵極-源極電壓（VGS）：20（±V）
- 閾值電壓（Vth）：1.8V
- 導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）：105mΩ @ VGS=4.5V；95mΩ @ VGS=10V
- 最大漏極電流（ID）：3.2A
- 技術(shù)：Trench

該產(chǎn)品適用于以下領(lǐng)域和模塊：
1. 小功率開關(guān)電源：如手機充電器、便攜式電子設(shè)備等。
2. DC-DC轉(zhuǎn)換器：用于電源管理、信號處理等模塊。
3. 低功率驅(qū)動器：如LED驅(qū)動器、小型電機控制器等。

以上是10A8-VB MOSFET的簡介、詳細參數(shù)說明和適用領(lǐng)域和模塊的語段形式舉例。