10N20-VB是一款單N溝道MOSFET，具有以下主要參數：

- VDS（漏極-源極電壓）：200V
- VGS（門極-源極電壓）：20V（±）
- Vth（門極閾值電壓）：3V
- RDS(ON)（導通時的漏極-源極電阻）：265mΩ@VGS=10V
- ID（漏極電流）：10A
- 技術特點：溝道工藝

產品簡介：
10N20-VB是一款高壓、高性能的單N溝道MOSFET。采用了溝道工藝技術，具有較低的導通電阻和較高的漏極電壓，適用于各種高壓、高性能要求的場合。

詳細參數說明：
1. VDS（漏極-源極電壓）：200V，可以適應較高的電壓環(huán)境。
2. VGS（門極-源極電壓）：20V（±），可靠的門控電壓范圍。
3. Vth（門極閾值電壓）：3V，可靠的門控特性。
4. RDS(ON)（導通時的漏極-源極電阻）：265mΩ@VGS=10V，低導通電阻，有利于減小功耗和提高效率。
5. ID（漏極電流）：10A，適用于一般功率要求的場合。
6. 技術特點：溝道工藝，提供了較高的性能和可靠性。

應用示例：
10N20-VB可以廣泛應用于以下領域和模塊：
- 電源模塊：適用于各種高壓電源開關模塊。
- 工業(yè)控制：適用于工業(yè)控制設備中的高壓電源開關等模塊。
- LED照明：可用于LED照明驅動器中的高壓功率開關模塊。
- 電動車充電樁：適用于電動車充電樁中的高壓功率開關模塊。
- 太陽能逆變器：適用于太陽能逆變器中的高壓功率開關模塊。

這些示例表明，10N20-VB在高壓、高性能要求的場合具有廣泛的應用前景。