10N50L-TF1-T-VB是一款TO220F封裝的單N溝道MOSFET。它具有550V的漏極-源極電壓（VDS），30V的柵極-源極電壓（VGS，±V），3V的閾值電壓（Vth），在VGS=10V時的導通電阻（RDS(ON)）為260mΩ，最大漏極電流（ID）為18A。該產品采用Plannar技術。
詳細參數說明如下：
- 產品型號：10N50L-TF1-T-VB
- 封裝：TO220F
- 極性：單N溝道
- 漏極-源極電壓（VDS）：550V
- 柵極-源極電壓（VGS）：30（±V）
- 閾值電壓（Vth）：3V
- 導通電阻（RDS(ON)）：260mΩ @ VGS=10V
- 最大漏極電流（ID）：18A
- 技術：Plannar
該產品適用于以下領域和模塊：
1. 工業電源模塊：用于高壓、中功率的開關電源、DC-DC轉換器等模塊。
2. 照明領域：用于氣體放電燈、熒光燈等電路中的功率開關控制。
3. 電動車輛領域：用于電動汽車的電池管理系統、電機驅動器等模塊。
4. 工業控制領域：用于工業設備的功率開關控制，如變頻器、UPS等設備。
以上是10N50L-TF1-T-VB MOSFET的簡介、詳細參數說明和適用領域和模塊的語段形式舉例。
