### 產品簡介：
10N60Z-VB 是一款單通道 N 型 MOSFET，采用平面工藝制造，具有650V 的漏極-源極電壓（VDS），30V 的柵極-源極電壓（VGS，±），3.5V 的閾值電壓（Vth），在VGS=10V 時的導通電阻（RDS(ON)）為830mΩ，最大漏極電流（ID）為10A。該產品采用 TO220F 封裝。
### 參數說明：
- **包裝尺寸**：TO220F
- **配置**：單 N-通道
- **漏極-源極電壓（VDS）**：650V
- **柵極-源極電壓（VGS）**：30V（±）
- **閾值電壓（Vth）**：3.5V
- **導通電阻（RDS(ON)）**：830mΩ @ VGS=10V
- **最大漏極電流（ID）**：10A
- **技術**：平面工藝
### 應用示例：
1. **電源模塊**：10N60Z-VB 可用于開關電源模塊中的功率開關。
2. **照明**：適用于 LED 驅動器中的功率開關。
3. **電動汽車充電樁**：可用于電動汽車充電樁中的電源開關。
4. **太陽能逆變器**：在太陽能逆變器中作為關鍵功率開關元件使用。
5. **電機驅動**：用于工業電機驅動器中的功率開關。
這些示例突顯了 10N60Z-VB 在能源轉換、電源管理和電機控制等領域的廣泛應用。
