**10N65L-TF1-T-VB 產品簡介：**

10N65L-TF1-T-VB 是一款單 N-溝道 MOSFET，封裝為 TO220F。它具有高達 650V 的漏極-源極電壓（VDS），以及額定為 ±30V 的門源極電壓（VGS）。門極閾值電壓（Vth）為 3.5V，漏極-源極電阻（RDS(ON)）在 VGS=10V 時為 830mΩ，漏極電流（ID）額定為 10A。這款 MOSFET 采用平面工藝制造（Plannar Technology）。

**10N65L-TF1-T-VB 詳細參數說明：**

- **封裝類型（Package）：** TO220F
- **器件類型（Configuration）：** 單 N-溝道
- **漏極-源極電壓（VDS）：** 650V
- **門源極電壓（VGS）：** ±30V
- **門極閾值電壓（Vth）：** 3.5V
- **漏極-源極電阻（RDS(ON)）：** 830mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流（ID）：** 10A
- **技術工藝（Technology）：** 平面工藝（Plannar）

**10N65L-TF1-T-VB 適用領域和模塊示例：**

1. **電源模塊：** 由于其高漏極-源極電壓和低漏極-源極電阻，10N65L-TF1-T-VB 可以廣泛應用于電源開關模塊中，如開關電源、逆變器和穩壓器等。
  
2. **照明領域：** 10N65L-TF1-T-VB 的高漏極-源極電壓和較低的導通電阻使其非常適合用于 LED 照明驅動器和照明控制模塊。

3. **工業自動化：** 在工業控制系統中，10N65L-TF1-T-VB 可以作為電機控制模塊中的開關器件，用于實現高效的電機控制。

4. **電動車充電樁：** 由于其高漏極-源極電壓和較高的漏極電流能力，10N65L-TF1-T-VB 可以用于電動車充電樁中的開關電源模塊，實現快速充電和高效能量轉換。

以上是 10N65L-TF1-T-VB 的產品簡介、詳細參數說明和適用領域和模塊示例。