**10N80H-VB 產品簡介：**

10N80H-VB 是一款單 N-溝道 MOSFET，封裝為 TO3P。它具有高達 800V 的漏極-源極電壓（VDS），以及額定為 ±30V 的門源極電壓（VGS）。門極閾值電壓（Vth）為 3.5V，漏極-源極電阻（RDS(ON)）在 VGS=10V 時為 500mΩ，漏極電流（ID）額定為 11A。這款 MOSFET 采用 SJ_Multi-EPI 技術工藝制造。

**10N80H-VB 詳細參數說明：**

- **封裝類型（Package）：** TO3P
- **器件類型（Configuration）：** 單 N-溝道
- **漏極-源極電壓（VDS）：** 800V
- **門源極電壓（VGS）：** ±30V
- **門極閾值電壓（Vth）：** 3.5V
- **漏極-源極電阻（RDS(ON)）：** 500mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流（ID）：** 11A
- **技術工藝（Technology）：** SJ_Multi-EPI

**10N80H-VB 適用領域和模塊示例：**

1. **電源模塊：** 由于其高漏極-源極電壓和低漏極-源極電阻，10N80H-VB 可以廣泛應用于電源開關模塊中，如開關電源、逆變器和穩壓器等。
  
2. **電動車充電樁：** 由于其高漏極-源極電壓和較高的漏極電流能力，10N80H-VB 可以用于電動車充電樁中的開關電源模塊，實現快速充電和高效能量轉換。

3. **工業控制系統：** 在工業自動化和控制系統中，10N80H-VB 可以作為電機控制模塊中的開關器件，用于實現高效的電機控制。

4. **電源逆變器：** 由于其高漏極-源極電壓和低導通電阻，10N80H-VB 可以用于太陽能逆變器和風能逆變器中，實現能源的高效轉換。

以上是 10N80H-VB 的產品簡介、詳細參數說明和適用領域和模塊示例。