### 10N80L-TF2-T-VB 產品簡介

10N80L-TF2-T-VB 是一款高性能的單N溝道功率MOSFET，采用TO220F封裝。這款MOSFET具有800V的漏源極電壓（VDS），能夠承受高壓環境中的操作。其柵極電壓（VGS）為±30V，閾值電壓（Vth）為3.5V，具備良好的開關性能。10N80L-TF2-T-VB 在VGS=10V時的導通電阻（RDS(ON)）為770mΩ，能夠提供7A的持續漏極電流（ID），適用于各種需要高效能和可靠性的電力電子應用中。該器件采用SJ_Multi-EPI技術，確保了其優異的性能和耐用性。

### 10N80L-TF2-T-VB 參數說明

| 參數名稱           | 數值         | 單位          |
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| 封裝類型           | TO220F       | -             |
| 配置               | 單N溝道      | -             |
| 漏源極電壓 (VDS)   | 800          | V             |
| 柵極電壓 (VGS)     | 30（±）      | V             |
| 閾值電壓 (Vth)     | 3.5          | V             |
| 導通電阻 (RDS(ON)) | 770          | mΩ @ VGS=10V  |
| 漏極電流 (ID)      | 7            | A             |
| 技術               | SJ_Multi-EPI | -           

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### 應用領域和模塊舉例

1. **電動汽車充電樁**：
  10N80L-TF2-T-VB 可用作電動汽車充電樁中的功率開關元件。其高耐壓能力和低導通電阻特性，使其能夠在高功率的充電樁中提供可靠的性能，確保快速、高效的充電過程。

2. **太陽能逆變器**：
  這款MOSFET 適用于太陽能逆變器中的功率開關電路。其高效能和可靠性，使其能夠有效地將太陽能轉換為電能，提高太陽能系統的能源利用率。

3. **工業電源**：
  在工業電源設備中，10N80L-TF2-T-VB 可用于驅動高功率負載和穩定輸出電壓。其高電流處理能力和低導通電阻，能夠滿足工業設備對高效能和可靠性的要求。

通過以上應用實例，10N80L-TF2-T-VB 展示了其在多個領域的多功能性和高性能表現，是電力電子設計中不可或缺的元件之一。