**產品簡介：**
VBsemi的10N95K5-VB是一款TO220封裝的單N溝道MOSFET，具有900V的漏極-源極電壓（VDS），30V的柵極-源極電壓（VGS，±V），3.5V的閾值電壓（Vth），在VGS=10V時的導通電阻RDS(ON)為580mΩ，最大漏極電流（ID）為11A，采用SJ_Multi-EPI技術。
**詳細參數說明：**
- 封裝：TO220
- 極性：單N溝道
- 漏極-源極電壓（VDS）：900V
- 柵極-源極電壓（VGS）：30（±V）
- 閾值電壓（Vth）：3.5V
- 導通電阻RDS(ON)：580mΩ @ VGS=10V
- 最大漏極電流（ID）：11A
- 技術：SJ_Multi-EPI
**適用領域和模塊舉例：**
- 太陽能逆變器：由于10N95K5-VB具有較高的漏極-源極電壓和較低的導通電阻，適用于太陽能逆變器中的直流-交流轉換模塊。
- 電源管理：在需要高壓、高功率的電源管理中，10N95K5-VB可用于電源逆變器、開關電源等模塊。
- 工業控制：工業控制系統需要穩定可靠的開關元件，10N95K5-VB可用于工業控制中的電機控制、照明控制等模塊。
- 高壓開關電源：在醫療設備、通信設備等需要高壓開關的場合，10N95K5-VB可用于高壓開關電源中的開關元件。
以上是對10N95K5-VB產品的簡介、詳細參數說明以及適用領域和模塊的舉例說明。
