### 產(chǎn)品簡介：

10NM50N-VB 是一款單通道 N 型 MOSFET，采用 SJ_Multi-EPI 技術制造，具有650V 的漏極-源極電壓（VDS），30V 的柵極-源極電壓（VGS，±），3.5V 的閾值電壓（Vth），在VGS=10V 時的導通電阻（RDS(ON)）為500mΩ，最大漏極電流（ID）為9A。該產(chǎn)品采用 TO252 封裝。

### 參數(shù)說明：

- **包裝尺寸**：TO252
- **配置**：單 N-通道
- **漏極-源極電壓（VDS）**：650V
- **柵極-源極電壓（VGS）**：30V（±）
- **閾值電壓（Vth）**：3.5V
- **導通電阻（RDS(ON)）**：500mΩ @ VGS=10V
- **最大漏極電流（ID）**：9A
- **技術**：SJ_Multi-EPI

### 應用示例：

1. **電源模塊**：10NM50N-VB 可用于開關電源模塊中的功率開關。
2. **電動汽車充電樁**：可用于電動汽車充電樁中的電源開關。
3. **太陽能逆變器**：在太陽能逆變器中作為關鍵功率開關元件使用。
4. **電機驅(qū)動**：用于工業(yè)電機驅(qū)動器中的功率開關。
5. **電源管理**：適用于各種需要高電壓和高電流開關的電源管理應用。

這些示例突顯了 10NM50N-VB 在能源轉(zhuǎn)換、電源管理和電機控制等領域的廣泛應用。