### 1. 產品簡介
VBsemi的10NM60N-VB是一款單N溝道MOSFET，采用TO251封裝。它具有650V的漏極-源極電壓（VDS），30V的柵極-源極電壓（VGS），和3.5V的閾值電壓（Vth）。這款MOSFET的導通電阻（RDS(ON)）為500mΩ（在VGS=10V時），最大漏極電流（ID）為9A。它采用了SJ_Multi-EPI技術，適用于各種領域和模塊。
### 2. 參數說明
- 封裝：TO251
- 構型：單N溝道
- 漏極-源極電壓（VDS）：650V
- 柵極-源極電壓（VGS）：30V（±V）
- 閾值電壓（Vth）：3.5V
- 導通電阻（RDS(ON)）：500mΩ @ VGS=10V
- 最大漏極電流（ID）：9A
- 技術：SJ_Multi-EPI
### 3. 應用領域和模塊
- **電源**：由于10NM60N-VB具有較高的漏極-源極電壓和適中的導通電阻，它適用于高壓開關電源和逆變器。
- **電動汽車**：在電動汽車的電力傳輸和控制系統中，這款MOSFET可以用于控制電動機和其他高壓設備。
- **工業控制**：可用于各種工業控制應用，如PLC（可編程邏輯控制器）、工業自動化和機器人控制。
- **照明**：由于其高電壓和適中的導通電阻特性，可用于LED照明驅動器和電源。
這些是一些10NM60N-VB可以應用的領域和模塊的例子，但實際上，它在各種高壓應用中都有潛在的用途。
