VBsemi的MOSFET產(chǎn)品10NM65N-VB是一款單N溝道MOSFET，采用TO220F封裝。它的主要技術(shù)特點(diǎn)包括可靠的650V漏極-源極電壓（VDS），以及30V的門(mén)極-源極電壓（VGS，±V），門(mén)極閾值電壓（Vth）為3.5V。在VGS=10V時(shí)，其導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）為320mΩ，額定漏極電流（ID）為20A。該產(chǎn)品采用了Plannar技術(shù)。

這款MOSFET適用于許多領(lǐng)域和模塊。舉例來(lái)說(shuō)，在電源領(lǐng)域，它可以用于開(kāi)關(guān)電源、逆變器和充電器等應(yīng)用。在工業(yè)控制領(lǐng)域，它可以用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和自動(dòng)化控制系統(tǒng)。在照明領(lǐng)域，它可以用于LED驅(qū)動(dòng)器和照明控制。此外，在汽車(chē)電子中，它可以應(yīng)用于電動(dòng)汽車(chē)充電樁和車(chē)載電子系統(tǒng)。總的來(lái)說(shuō)，10NM65N-VB適用于需要高性能、高可靠性的功率開(kāi)關(guān)和控制的各種領(lǐng)域和模塊。