### 1. 產品簡介
VBsemi的10WNMD2160-VB是一款雙N溝道和雙P溝道MOSFET，采用SOT23-6封裝。它具有20V的漏極-源極電壓（VDS），20V的柵極-源極電壓（VGS），和0.5~1.5V的閾值電壓（Vth）。這款MOSFET的導通電阻（RDS(ON)）為28mΩ（在VGS=2.5V時）和24mΩ（在VGS=4.5V時），最大漏極電流（ID）為6A。它采用了Trench技術，適用于各種領域和模塊。
### 2. 參數說明
- 封裝：SOT23-6
- 構型：雙N溝道和雙P溝道
- 漏極-源極電壓（VDS）：20V
- 柵極-源極電壓（VGS）：20V（±V）
- 閾值電壓（Vth）：0.5~1.5V
- 導通電阻（RDS(ON)）：28mΩ @ VGS=2.5V，24mΩ @ VGS=4.5V
- 最大漏極電流（ID）：6A
- 技術：Trench
### 3. 應用領域和模塊
- **移動設備**：由于10WNMD2160-VB具有較低的漏極-源極電壓和適中的導通電阻，它適用于手機、平板電腦和其他便攜式設備的電源管理和功率控制。
- **電源模塊**：在各種電源模塊中，這款MOSFET可以用于功率開關和電源調節器。
- **汽車電子**：在汽車電子系統中，這款MOSFET可以用于控制燈光、電動窗戶和其他電氣設備。
- **工業控制**：可用于各種工業控制應用，如PLC（可編程邏輯控制器）、工業自動化和機器人控制。
這些是一些10WNMD2160-VB可以應用的領域和模塊的例子，但實際上，它在各種低電壓和低功率應用中都有潛在的用途。
