### 110N12N-VB TO252 產品簡介

110N12N-VB 是一款由 VBsemi 推出的單N溝道 MOSFET，采用 TO252 封裝技術。該器件具有 100V 的漏源電壓 (VDS) 和 ±20V 的柵源電壓 (VGS)，并且在柵源電壓為 10V 時，其導通電阻 (RDS(ON)) 僅為 114mΩ。這款 MOSFET 采用 Trench 技術制造，具備較低的導通電阻和出色的電流處理能力，非常適合需要高效率和高性能的應用場合。

### 詳細參數說明

| 參數 | 規格 |
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| 產品型號 | 110N12N-VB |
| 封裝 | TO252 |
| 配置 | 單N溝道 |
| 漏源電壓 (VDS) | 100V |
| 柵源電壓 (VGS) | ±20V |
| 閾值電壓 (Vth) | 1.8V |
| 導通電阻 (RDS(ON)) | 114mΩ @ VGS=10V |
| 連續漏極電流 (ID) | 15A |
| 技術 | Trench |

### 應用領域和模塊示例

110N12N-VB 這種高性能的 MOSFET 在多個領域和模塊中都能發揮重要作用：

1. **電源管理模塊**
  - 該 MOSFET 可用于開關電源 (SMPS) 和直流-直流 (DC-DC) 轉換器，提供高效的電能轉換，減少能量損耗，提高系統的整體效率。

2. **電機驅動器**
  - 適用于電機控制應用，包括無刷直流電機 (BLDC) 和有刷直流電機，通過其低導通電阻和高電流處理能力，確保電機運行的平穩和高效。

3. **電池管理系統 (BMS)**
  - 在電動汽車和儲能系統中，110N12N-VB 可用作電池保護和管理電路的開關元件，提供可靠的電流開關和保護功能，延長電池壽命。

4. **工業自動化**
  - 該器件可用于工業控制系統中的繼電器替代品和負載開關，支持高頻操作和低功耗需求，提升系統可靠性和響應速度。

5. **消費電子**
  - 在消費電子產品中，例如智能手機、平板電腦和便攜式設備，110N12N-VB 可以用作電源開關和充電管理，優化電路設計，提供穩定的電源管理解決方案。

通過這些應用示例，可以看出 110N12N-VB MOSFET 在廣泛的領域中都能提供優異的性能和可靠性，是許多電子設計中不可或缺的重要組件。