以下是對MOSFET產品11N65M5-VB的產品簡介、參數說明以及適用領域和模塊的詳細說明：

### 產品簡介：
11N65M5-VB是一款單N溝道MOSFET，采用Plannar技術制造，具有650V的漏極-源極電壓（VDS）、30V的柵極-源極電壓（VGS）、3.5V的閾值電壓（Vth）、320mΩ@VGS=10V的導通電阻（RDS(ON)）、以及20A的漏極電流（ID）。適用于需要高性能MOSFET的電路設計。

### 參數說明：
- **型號：** 11N65M5-VB
- **封裝：** TO220F
- **構型：** 單N溝道
- **漏極-源極電壓（VDS）：** 650V
- **柵極-源極電壓（VGS）：** ±30V
- **閾值電壓（Vth）：** 3.5V
- **導通電阻（RDS(ON))：** 320mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流（ID）：** 20A
- **技術：** Plannar

### 適用領域和模塊：
1. **電源模塊：** 由于11N65M5-VB具有高漏極-源極電壓和適中的導通電阻，適用于需要高電壓和中等功率的電源模塊，如開關電源、逆變器等。
2. **照明應用：** 該MOSFET適用于需要高電壓和中等電流的照明應用，如室內照明、戶外照明等。
3. **電動工具：** 由于11N65M5-VB具有適中的漏極電流和導通電阻，可用于電動工具的電源控制和驅動電路中，提供適中功率和性能。
4. **電動汽車充電樁：** 在電動汽車充電樁中，11N65M5-VB可用于充電樁的電源開關和控制電路，以提供適中功率和高效率。
5. **工業控制：** 在工業控制系統中，11N65M5-VB可用于電源開關和控制電路，以提供穩定的電源和高效率。