### 產品簡介：

11N65M5-VB TO252 是一款單N溝道場效應管（MOSFET），具有650V的漏極-源極電壓（VDS），30V的柵極-源極電壓（VGS，±V），3.5V的閾值電壓（Vth），370mΩ@VGS=10V的導通電阻（RDS(ON)），以及11A的漏極電流（ID）。采用了SJ_Multi-EPI工藝。適用于高壓、中功率的應用場合。

### 參數說明：

- **Package：** TO252
- **Configuration：** Single-N-Channel
- **VDS（漏極-源極電壓）：** 650V
- **VGS（柵極-源極電壓，±V）：** 30V
- **Vth（閾值電壓）：** 3.5V
- **RDS(ON)（導通電阻）：** 370mΩ@VGS=10V
- **ID（漏極電流）：** 11A
- **Technology（工藝）：** SJ_Multi-EPI

### 應用示例：

1. **電源逆變器：** 11N65M5-VB TO252 可用于中功率的逆變器模塊，如家用逆變器、工業逆變器等，實現直流到交流的轉換。

2. **電動車充電樁：** 適用于中功率的電動車充電樁中，提供穩定的充電電流和電壓。

3. **工業控制：** 可用于工業領域中的電源開關和控制電路，如工業電源、機械控制等，提供高效能的功率控制。

4. **照明系統：** 適用于LED照明系統的電源開關，實現高效能的功率控制和調光功能。

5. **太陽能逆變器：** 可用于中功率的太陽能逆變器中，實現太陽能電池板到交流電的轉換。

以上僅為一些典型應用示例，實際應用取決于具體設計要求和環境。