### 產品簡介：
11NM50N-VB TO252是一款單N溝道MOSFET，具有650V的漏極-源極電壓（VDS）、30V的柵極-源極電壓（VGS，±V）、3.5V的閾值電壓（Vth）、370mΩ@VGS=10V的導通電阻（RDS(ON)）、以及11A的漏極電流（ID）。采用SJ_Multi-EPI技術制造。

### 參數說明：
- **Package（封裝）：** TO252
- **Configuration（配置）：** 單N溝道
- **VDS（漏極-源極電壓）：** 650V
- **VGS（柵極-源極電壓）：** 30V（±V）
- **閾值電壓（Vth）：** 3.5V
- **RDS(ON)（導通電阻）：** 370mΩ@VGS=10V
- **ID（漏極電流）：** 11A
- **Technology（技術）：** SJ_Multi-EPI

### 應用領域和模塊示例：
1. **電源逆變器：** 11NM50N-VB TO252適用于電源逆變器中的開關管，用于將直流電轉換為交流電。
2. **太陽能逆變器：** 在太陽能逆變器中，可以用作關鍵的開關元件，實現太陽能電能的轉換和輸出。
3. **UPS電源：** 適用于UPS電源系統中的開關管，提供穩定可靠的電源切換和保護功能。
4. **電動汽車充電樁：** 可以作為電動汽車充電樁中的開關管，控制充電電流和充電時間。
5. **工業控制系統：** 在工業控制系統中，可以用于各種電機驅動和開關控制，提供高效的工業控制方案。

以上示例說明了11NM50N-VB TO252在各種領域和模塊中的廣泛應用，展示了其高壓、高性能和多功能性。