### 產品簡介
VBsemi的126N10N-VB是一款單N溝道MOSFET，采用TO262封裝，具有100V的漏極-源極電壓（VDS），20V的柵極-源極電壓（VGS，±V），2.5V的閾值電壓（Vth），以及在VGS=4.5V時為10mΩ，在VGS=10V時為9mΩ的導通電阻（RDS(ON)）。該器件的漏極電流（ID）額定為100A，采用溝道技術制造。
### 參數說明
- **包裝形式**：TO262
- **通道類型**：單N溝道
- **VDS（漏極-源極電壓）**：100V
- **VGS（柵極-源極電壓）**：20V（±V）
- **閾值電壓（Vth）**：2.5V
- **RDS(ON)（導通電阻）**：10mΩ @ VGS=4.5V；9mΩ @ VGS=10V
- **ID（漏極電流）**：100A
- **技術**：溝道
### 應用領域和模塊舉例
1. **電源模塊**：126N10N-VB可用于高功率直流電源模塊，如工業電源和UPS系統，提供高效的電能轉換和穩定的電源輸出。
2. **電動車輛**：在電動汽車和混合動力車輛中，這種器件可以用作電機驅動器的開關裝置，實現電機的高效控制和動力輸出。
3. **工業自動化**：在工業控制系統中，這種MOSFET可用于各種電流大、壓降低的開關電路，如繼電器和接觸器的替代方案。
4. **電源管理**：在高性能電源管理模塊中，這種器件可用于電壓調節、電流控制和電池充放電管理。
5. **太陽能逆變器**：適用于太陽能逆變器中的電路，將太陽能電池板收集的直流電轉換為交流電，供應給家庭或工業用電系統。
以上僅為一些常見應用領域和模塊，實際應用中還可能有其他領域和模塊。
