### 產品簡介：

12CNE8N-VB TO263 是一款單N溝道場效應管（MOSFET），具有80V的漏極-源極電壓（VDS），20V的柵極-源極電壓（VGS，±V），3V的閾值電壓（Vth），10mΩ@VGS=4.5V和6mΩ@VGS=10V的導通電阻（RDS(ON)），以及120A的漏極電流（ID）。采用了Trench工藝。適用于中高功率、低電壓的應用場合。

### 參數說明：

- **Package：** TO263
- **Configuration：** Single-N-Channel
- **VDS（漏極-源極電壓）：** 80V
- **VGS（柵極-源極電壓，±V）：** 20V
- **Vth（閾值電壓）：** 3V
- **RDS(ON)（導通電阻）：** 10mΩ@VGS=4.5V，6mΩ@VGS=10V
- **ID（漏極電流）：** 120A
- **Technology（工藝）：** Trench

### 應用示例：

1. **電源模塊：** 12CNE8N-VB TO263 可用于中高功率的電源模塊，如服務器電源、工業電源等，以提供穩定的電壓和電流輸出。

2. **電機驅動：** 由于其高電流特性，該器件適用于驅動中高功率電機，如電動汽車的驅動電路中。

3. **工業控制：** 可用于工業領域中的電源開關和控制電路，如工業電源、機械控制等，提供高效能的功率控制。

4. **照明系統：** 適用于LED照明系統的電源開關，實現高效能的功率控制和調光功能。

5. **電池管理：** 可用于電池管理系統中的電源開關和保護電路，提供穩定可靠的電池供電。

以上僅為一些典型應用示例，實際應用取決于具體設計要求和環境。