### 產品簡介
VBsemi的12CNE8N-VB是一款單N溝道MOSFET，采用TO263封裝，具有80V的漏極-源極電壓（VDS），20V的柵極-源極電壓（VGS，±V），3V的閾值電壓（Vth），以及在VGS=4.5V時為10mΩ，在VGS=10V時為6mΩ的導通電阻（RDS(ON)）。該器件的漏極電流（ID）額定為120A，采用溝道技術制造。
### 參數說明
- **包裝形式**：TO263
- **通道類型**：單N溝道
- **VDS（漏極-源極電壓）**：80V
- **VGS（柵極-源極電壓）**：20V（±V）
- **閾值電壓（Vth）**：3V
- **RDS(ON)（導通電阻）**：10mΩ @ VGS=4.5V；6mΩ @ VGS=10V
- **ID（漏極電流）**：120A
- **技術**：溝道
### 應用領域和模塊舉例
1. **電源管理**：12CNE8N-VB非常適用于高性能電源管理模塊，例如服務器電源和高效電源供應器，這些應用需要高電流和低導通電阻來確保高效的電能轉換和穩定的輸出。
2. **電動汽車**：在電動汽車和混合動力汽車中，該器件可以用作電機驅動的開關裝置，實現高效的電能傳輸和電機控制，提升汽車的動力和續航能力。
3. **工業自動化**：適用于工業自動化設備中的電源管理和控制系統，這些系統通常需要高功率MOSFET來實現可靠和高效的電流控制。
4. **太陽能系統**：在太陽能發電系統中，該MOSFET可以用于逆變器和電池管理系統，幫助將太陽能電池板收集的直流電轉換為交流電，并管理電池的充放電過程。
5. **電機控制**：適用于高功率電機控制系統，如工業電機驅動器和大型家用電器，這些系統需要高電流MOSFET來實現精確的電機速度和扭矩控制。
以上僅為一些常見應用領域和模塊，實際應用中還可能有其他領域和模塊。
