### 產品簡介

VBsemi的12DN20N-VB是一款單N溝道MOSFET，采用Trench技術，具有200V的漏極-源極電壓（VDS）和20V的柵極-源極電壓（VGS）。該器件的漏極-源極導通電阻（RDS(ON)）在VGS=10V時為85mΩ，具有9.3A的漏極電流（ID）和3V的閾值電壓（Vth）。

### 參數說明

- **型號**: 12DN20N-VB
- **封裝**: DFN8(3X3)
- **結構**: 單N溝道
- **VDS（漏極-源極電壓）**: 200V
- **VGS（柵極-源極電壓）**: 20V（±）
- **Vth（閾值電壓）**: 3V
- **RDS(ON)（漏極-源極導通電阻）**: 
 - VGS=10V時：85mΩ
- **ID（漏極電流）**: 9.3A
- **技術**: Trench

### 應用領域和模塊示例

1. **電源模塊**: 由于12DN20N-VB具有較高的漏極-源極電壓和適中的漏極電流，適用于一些中功率的電源模塊，如DC-DC變換器和電源管理模塊。
2. **家電控制**: 在家電控制領域，MOSFET通常用于開關電路和控制電路。12DN20N-VB可用于高壓家電控制開關，如空調、洗衣機等。
3. **LED照明**: 由于其較高的漏極-源極電壓，12DN20N-VB適用于LED照明驅動器和控制器，提供穩定的電流和照明控制。
4. **電動工具**: 在電動工具中，MOSFET通常用作開關元件。12DN20N-VB可用于電動工具的電源控制和電機驅動。
5. **醫療設備**: 由于其較高的漏極-源極電壓和適中的漏極電流，12DN20N-VB適用于一些醫療設備中的電源開關和控制電路。

以上領域和模塊僅為示例，實際應用取決于具體設計要求和環境。