--- 產品參數 ---
- 封裝 TO220封裝
- 溝道 N-Channel
--- 數據手冊 ---
--- 產品詳情 ---
### 13N50H-VB TO220 產品簡介
**產品概述**:
13N50H-VB 是一款單N溝道功率MOSFET,采用SJ_Multi-EPI技術制造,適用于高壓范圍內的功率控制應用。其封裝為TO220,具有良好的散熱性能和高可靠性。
**產品特點**:
- **高電壓承受能力**:VDS為650V,適用于高壓范圍內的應用。
- **高柵極電壓**:VGS為±30V,提供設計靈活性。
- **中閾值電壓**:Vth為3.5V,適中的驅動要求。
- **低導通電阻**:RDS(ON)為420mΩ@VGS=10V,提高效率,降低功耗。
- **中電流能力**:ID為11A,適用于中等電流應用。
### 13N50H-VB TO220 詳細參數說明
- **封裝**:TO220
- **配置**:單N溝道
- **漏源極電壓(VDS)**:650V
- **柵源極電壓(VGS)**:±30V
- **閾值電壓(Vth)**:3.5V
- **導通電阻(RDS(ON))**:420mΩ@VGS=10V
- **連續漏極電流(ID)**:11A
- **技術**:SJ_Multi-EPI
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### 應用領域和模塊
**電源管理**:
13N50H-VB 可用于電源管理模塊中的功率開關元件,用于實現高效率的電源轉換和穩定的電壓輸出。適用于工業電源、電力傳輸等領域。
**電動汽車充電樁**:
在電動汽車充電樁中,可用于控制充電樁的功率開關元件,適用于快充電樁、慢充電樁等領域。
**電力傳輸**:
適用于高壓直流輸電系統中的開關元件,控制電力傳輸和分配。
**電力電子**:
可用于高壓電力電子設備中的功率開關元件,如變頻器、逆變器等領域。
**醫療設備**:
在醫療設備中,可用于高壓電源開關和電機控制,如醫療影像設備、電子治療設備等領域。
通過以上應用實例,可以看出13N50H-VB 在各個領域和模塊中都有廣泛的應用前景,能夠滿足高壓范圍內的高性能和高可靠性需求。
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