--- 產品參數 ---
- 封裝 TO220F封裝
- 溝道 N-Channel
--- 數據手冊 ---
--- 產品詳情 ---
### 13N50H-VB MOSFET 產品簡介
VBsemi的13N50H-VB是一款單N溝道功率MOSFET,采用TO220F封裝技術。這種MOSFET在550V的漏源電壓(VDS)和30V(±V)的柵源電壓(VGS)下工作。其開態電阻(RDS(ON))在柵源電壓為10V時為260mΩ。該器件的額定電流(ID)為18A,采用了Plannar技術,適用于中功率應用場景。
### 13N50H-VB MOSFET 參數說明
- **型號:** 13N50H-VB
- **封裝:** TO220F
- **配置:** 單N溝道
- **漏源電壓(VDS):** 550V
- **柵源電壓(VGS):** 30(±V)
- **閾值電壓(Vth):** 3V
- **開態電阻(RDS(ON))@VGS=10V:** 260mΩ
- **額定電流(ID):** 18A
- **技術:** Plannar
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### 13N50H-VB MOSFET 應用領域及模塊示例
1. **電源轉換器:**
13N50H-VB MOSFET適用于各種中功率的電源轉換器,如LED驅動器、工業電源等。其高漏源電壓和額定電流使其成為電源轉換器中的理想選擇,提高了轉換器的效率和可靠性。
2. **照明應用:**
在照明應用中,13N50H-VB MOSFET可用于LED照明驅動器和電源控制。其高漏源電壓和低導通電阻確保了LED照明系統的高效率和長壽命。
3. **電動汽車充電樁:**
在電動汽車充電樁中,13N50H-VB MOSFET可用于控制充電樁的電源轉換和開關。其高漏源電壓和額定電流確保了充電樁的高效率和可靠性。
4. **電動汽車動力逆變器:**
在電動汽車動力逆變器中,13N50H-VB MOSFET可用于控制電動汽車的動力系統。其高漏源電壓和額定電流使其能夠滿足動力逆變器的功率需求,提高了電動汽車的性能和效率。
通過這些應用領域和模塊的實例,13N50H-VB MOSFET展示了其在中功率需求場景中的適用性,成為各類電子系統中不可或缺的核心組件。
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