--- 產品參數 ---
- 封裝 TO263封裝
- 溝道 N-Channel
--- 數據手冊 ---
--- 產品詳情 ---
### 產品簡介:
13N50H-VB是一款單N溝道MOSFET,采用SJ_Multi-EPI技術制造,具有650V的漏極-源極電壓(VDS)、30V的柵極-源極電壓(VGS)、3.5V的閾值電壓(Vth)、420mΩ@VGS=10V的導通電阻(RDS(ON)),以及11A的漏極電流(ID)。適用于高壓高功率電路設計。
### 參數說明:
- **型號:** 13N50H-VB
- **封裝:** TO263
- **構型:** 單N溝道
- **漏極-源極電壓(VDS):** 650V
- **柵極-源極電壓(VGS):** ±30V
- **閾值電壓(Vth):** 3.5V
- **導通電阻(RDS(ON)):** 420mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流(ID):** 11A
- **技術:** SJ_Multi-EPI
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### 適用領域和模塊:
1. **電源開關:** 由于13N50H-VB具有較高的漏極-源極電壓和適中的導通電阻,適用于高壓高功率電源開關,如電源逆變器、開關電源等。
2. **電機驅動:** 可用于電機驅動電路中的功率開關,提供可靠的電源控制和驅動功能。
3. **電源逆變器:** 適用于電源逆變器中的高壓開關,用于將直流電轉換為交流電,如太陽能逆變器、UPS逆變器等。
4. **工業電子:** 在工業控制領域,可用于高壓高功率電源開關和驅動器,提供高效、可靠的電源控制和驅動功能。
5. **汽車電子:** 在汽車電子領域,可用于汽車電子控制單元(ECU)中的電源開關和驅動器,提供可靠的電源控制和驅動功能。
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