--- 產品參數 ---
- 封裝 TO220F封裝
- 溝道 N-Channel
--- 數據手冊 ---
--- 產品詳情 ---
### 產品簡介
VBsemi的13N50L-TF1-T-VB是一款單N溝道MOSFET,采用TO220F封裝,具有550V的漏極-源極電壓(VDS),30V的柵極-源極電壓(VGS,±V),3V的閾值電壓(Vth),以及在VGS=10V時為260mΩ的導通電阻(RDS(ON))。該器件的漏極電流(ID)額定為18A,采用平面技術制造。
### 參數說明
- **包裝形式**:TO220F
- **通道類型**:單N溝道
- **VDS(漏極-源極電壓)**:550V
- **VGS(柵極-源極電壓)**:30V(±V)
- **閾值電壓(Vth)**:3V
- **RDS(ON)(導通電阻)**:260mΩ @ VGS=10V
- **ID(漏極電流)**:18A
- **技術**:平面
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### 應用領域和模塊舉例
1. **電源模塊**:13N50L-TF1-T-VB適用于中高壓電源模塊,如開關電源和電源適配器,提供高效的電能轉換和穩定的電源輸出。
2. **電動車輛**:在電動車輛中,這種器件可用于電機控制和電池管理,實現電動車輛的高效運行和長時間續航。
3. **工業控制**:適用于工業控制系統中的電源管理和電機控制,具有高效、穩定的性能,滿足工業環境的需求。
4. **充電樁**:在充電樁中,該器件可用于電源管理和充電控制,提供高效的充電服務。
5. **UPS系統**:適用于UPS系統中的電源逆變器和電池管理,確保UPS系統的穩定運行和長時間備用電源。
以上僅為一些常見應用領域和模塊,實際應用中還可能有其他領域和模塊。
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