--- 產品參數 ---
- 封裝 TO252封裝
- 溝道 N-Channel
--- 數據手冊 ---
--- 產品詳情 ---
### 產品簡介
VBsemi的13N60M2-VB是一款單N溝道MOSFET,采用SJ_Multi-EPI技術,具有650V的漏極-源極電壓(VDS)和30V的柵極-源極電壓(VGS)。該器件的漏極-源極導通電阻(RDS(ON))在VGS=10V時為370mΩ,具有11A的漏極電流(ID)和3.5V的閾值電壓(Vth)。
### 參數說明
- **型號**: 13N60M2-VB
- **封裝**: TO252
- **結構**: 單N溝道
- **VDS(漏極-源極電壓)**: 650V
- **VGS(柵極-源極電壓)**: 30V(±)
- **Vth(閾值電壓)**: 3.5V
- **RDS(ON)(漏極-源極導通電阻)**:
- VGS=10V時:370mΩ
- **ID(漏極電流)**: 11A
- **技術**: SJ_Multi-EPI
![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/F7/10/wKgZomaDqF2AAxeAAAG_MIEfOHQ846.png)
### 應用領域和模塊示例
1. **電源逆變器**: 由于13N60M2-VB具有較高的漏極-源極電壓和適中的漏極電流容量,適用于一些逆變器中的功率開關和控制電路。
2. **電動車電機驅動**: 在電動車的電機驅動系統中,MOSFET通常用于控制電機的啟停和速度調節。13N60M2-VB可用于電動車的電機驅動器中,提供高效率的功率控制。
3. **LED照明**: 由于其較高的漏極-源極電壓和適中的導通電阻,13N60M2-VB適用于LED照明驅動器和控制器,提供穩定的電流和照明控制。
4. **電源管理**: 在一些低功率的電源管理系統中,該器件可用于功率開關和控制電路,提高系統的能量轉換效率。
5. **工業控制**: 在工業控制領域,MOSFET通常用于各種控制電路和功率開關。13N60M2-VB可用于工業控制系統中的功率開關和控制電路。
以上領域和模塊僅為示例,實際應用取決于具體設計要求和環境。
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