--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 封裝 TO252封裝
- 溝道 N-Channel
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 產(chǎn)品簡介
VBsemi的13NM60ND-VB是一款單N溝道MOSFET,采用TO252封裝,具有650V的漏極-源極電壓(VDS),30V的柵極-源極電壓(VGS,±V),3.5V的閾值電壓(Vth),以及在VGS=10V時為370mΩ的導(dǎo)通電阻(RDS(ON))。該器件的漏極電流(ID)額定為11A,采用多晶硅多重外延(SJ_Multi-EPI)技術(shù)制造。
### 參數(shù)說明
- **包裝形式**:TO252
- **通道類型**:單N溝道
- **VDS(漏極-源極電壓)**:650V
- **VGS(柵極-源極電壓)**:30V(±V)
- **閾值電壓(Vth)**:3.5V
- **RDS(ON)(導(dǎo)通電阻)**:370mΩ @ VGS=10V
- **ID(漏極電流)**:11A
- **技術(shù)**:SJ_Multi-EPI
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### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊舉例
1. **電源模塊**:13NM60ND-VB適用于高壓電源模塊,如開關(guān)電源和UPS系統(tǒng),提供高效的電能轉(zhuǎn)換和穩(wěn)定的電源輸出。
2. **電動車輛**:在電動車輛中,這種器件可用于電機控制和電池管理,實現(xiàn)電動車輛的高效運行和長時間續(xù)航。
3. **工業(yè)控制**:適用于工業(yè)控制系統(tǒng)中的電源管理和電機控制,具有高效、穩(wěn)定的性能,滿足工業(yè)環(huán)境的需求。
4. **充電樁**:在充電樁中,該器件可用于電源管理和充電控制,提供高效的充電服務(wù)。
5. **太陽能逆變器**:適用于太陽能逆變器中的電源逆變和電池管理,提供可靠的太陽能電力轉(zhuǎn)換和儲存。
以上僅為一些常見應(yīng)用領(lǐng)域和模塊,實際應(yīng)用中還可能有其他領(lǐng)域和模塊。
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