--- 產品參數 ---
- 封裝 TO247封裝
- 溝道 N-Channel
--- 數據手冊 ---
--- 產品詳情 ---
### 產品簡介:
13NM60N-VB是一款單N溝道MOSFET,具有650V的漏極-源極電壓(VDS)、30V的柵極-源極電壓(VGS,±V)、3.5V的閾值電壓(Vth)、300mΩ@VGS=10V的導通電阻(RDS(ON))、以及15A的漏極電流(ID)。采用SJ_Multi-EPI技術制造。
### 參數說明:
- **Package(封裝):** TO247
- **Configuration(配置):** 單N溝道
- **VDS(漏極-源極電壓):** 650V
- **VGS(柵極-源極電壓):** 30V(±V)
- **閾值電壓(Vth):** 3.5V
- **RDS(ON)(導通電阻):** 300mΩ@VGS=10V
- **ID(漏極電流):** 15A
- **Technology(技術):** SJ_Multi-EPI
![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/F8/3D/wKgZomaHaPGAHdPpAAF-GdbNmXE638.png)
### 應用領域和模塊示例:
1. **電源模塊:** 13NM60N-VB適用于各種電源模塊中的開關管,用于穩定可靠的電源開關和控制。
2. **電動汽車控制:** 適用于電動汽車中的驅動器件,用于控制電動汽車的電機,提供高效的電動汽車控制。
3. **太陽能逆變器:** 在太陽能逆變器中,可以用作功率開關器件,用于將太陽能電池板產生的直流電轉換為交流電。
4. **UPS(不間斷電源):** 可以用于UPS中的開關管,提供穩定的電力轉換和控制功能。
5. **工業控制系統:** 在工業控制系統中,可以用于各種電機驅動和開關控制,提供高效的工業控制方案。
以上示例說明了13NM60N-VB在各種領域和模塊中的廣泛應用,展示了其高性能和多功能性。
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