--- 產品參數 ---
- 封裝 TO251封裝
- 溝道 N-Channel
--- 數據手冊 ---
--- 產品詳情 ---
### 產品簡介:
VBsemi的MOSFET產品13NM60N-VB是一款單N溝道MOSFET,采用了SJ_Multi-EPI技術,具有600V的漏極-源極電壓(VDS)和11A的漏極電流(ID)能力。該產品在TO251封裝中提供,適用于需要中等電壓和電流的功率電子應用。
### 參數說明:
- 封裝:TO251
- 構型:單N溝道
- 漏極-源極電壓(VDS):600V
- 柵極-源極電壓(VGS):±30V
- 閾值電壓(Vth):3.5V
- 導通電阻(RDS(ON)):380mΩ @ VGS=10V
- 漏極電流(ID):11A
- 技術:SJ_Multi-EPI
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### 應用領域和模塊:
1. **電源模塊**:13NM60N-VB適用于開關電源模塊,如DC-DC變換器和AC-DC變換器,提供穩定的電力輸出。
2. **電動汽車**:在電動汽車中,這款MOSFET可以用于電機驅動器、電池管理系統等模塊,提供高效率和可靠性。
3. **工業控制**:在工業控制設備中,這款MOSFET可用于逆變器、電源管理單元等模塊,提供可靠的功率控制和轉換。
4. **電池管理**:13NM60N-VB可用于電池充放電控制、保護等模塊,支持高功率密度和能效。
5. **照明應用**:適用于LED驅動器和其他照明電源,能夠提供中等功率的功率轉換和可靠性。
以上是對13NM60N-VB MOSFET產品的產品簡介、詳細參數說明以及適用領域和模塊的介紹。
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