--- 產品參數 ---
- 封裝 TO220F封裝
- 溝道 N-Channel
--- 數據手冊 ---
--- 產品詳情 ---
### 140N10F4-VB MOSFET 產品簡介
VBsemi的140N10F4-VB是一款單N溝道功率MOSFET,采用TO220F封裝技術。這種MOSFET在100V的漏源電壓(VDS)和20V(±V)的柵源電壓(VGS)下工作。其開態電阻(RDS(ON))在柵源電壓為10V時為3.7mΩ。該器件的額定電流(ID)為120A,采用了Trench技術,適用于高功率應用場景。
### 140N10F4-VB MOSFET 參數說明
- **型號:** 140N10F4-VB
- **封裝:** TO220F
- **配置:** 單N溝道
- **漏源電壓(VDS):** 100V
- **柵源電壓(VGS):** 20(±V)
- **閾值電壓(Vth):** 3V
- **開態電阻(RDS(ON))@VGS=10V:** 3.7mΩ
- **額定電流(ID):** 120A
- **技術:** Trench
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### 140N10F4-VB MOSFET 應用領域及模塊示例
1. **電源管理:**
140N10F4-VB MOSFET適用于各種高功率的電源管理應用,如電源逆變器、電源轉換器等。其高漏源電壓和額定電流使其成為電源管理領域中的理想選擇,提高了系統的效率和可靠性。
2. **電動汽車充電樁:**
在電動汽車充電樁中,140N10F4-VB MOSFET可用于控制充電樁的電源轉換和開關。其高漏源電壓和額定電流確保了充電樁的高效率和可靠性。
3. **工業電氣設備:**
在工業電氣設備中,140N10F4-VB MOSFET可用于各種高功率的電氣控制系統。其高漏源電壓和低導通電阻確保了電氣設備的高效率和可靠性。
4. **太陽能逆變器:**
在太陽能逆變器中,140N10F4-VB MOSFET可用于控制太陽能電池板的電源轉換和儲存。其高漏源電壓和額定電流使其能夠滿足逆變器的功率需求,提高了太陽能系統的效率和可靠性。
通過這些應用領域和模塊的實例,140N10F4-VB MOSFET展示了其在高功率需求場景中的適用性,成為各類電子系統中不可或缺的核心組件。
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